Une équipe du laboratoire ICB en couverture de la revue scientifique « Applied Optical Materials »
![](https://icb.u-bourgogne.fr/wp-content/uploads/2023/01/Banniere_ACS.png)
L’article « Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling » menée par le département Photonique et la plateforme ARCEN CARNOT du laboratoire ICB fait la couverture inaugurale du premier numéro d’ACS Applied Optical Materials.
![](https://icb.u-bourgogne.fr/wp-content/uploads/2023/01/Couverture_APPLIED_OM.png)
Dans sa publication, l’équipe de chercheurs explore la photoluminescence non-linéaire issue du déclin radiatif d’une population d’électrons hors équilibre généré par le pompage optique ultra-rapide d’une couche d’oxyde d'indium-étain (ITO) gravée par un faisceau focalisé d’ions Ga.
Cette découverte apporte une nouvelle dimension optique à un matériau complexe qui est communément utilisé pour réaliser des électrodes transparentes.
- Pour plus d’informations : Florian Dell’Ova, Konstantin Malchow, Rémi Chassagnon, Olivier Heintz, Nicolas Pocholle, Gérard Colas des Francs, Erik Dujardin, and Alexandre Bouhelier, Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling, ACS Applied Optical Materials (2023)
- kc_data:
- a:8:{i:0;s:0:"";s:4:"mode";s:2:"kc";s:3:"css";s:0:"";s:9:"max_width";s:0:"";s:7:"classes";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:9:"collapsed";s:0:"";s:9:"optimized";s:0:"";}
- kc_raw_content:
- [kc_row use_container="yes" _id="172938"][kc_column width="12/12" video_mute="no" _id="525111"][kc_spacing height="20" _id="888479"][kc_column_text _id="717941"]
L’article « Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling » menée par le département Photonique et la plateforme ARCEN CARNOT du laboratoire ICB fait la couverture inaugurale du premier numéro d’ACS Applied Optical Materials.
[/kc_column_text][kc_spacing height="10px" _id="649257"][/kc_column][/kc_row][kc_row use_container="yes" _id="782133"][kc_column width="45%" _id="561492"][kc_single_image image_size="full" _id="395374" image_source="media_library" image="40898"][/kc_column][kc_column width="5%" _id="928846"][/kc_column][kc_column width="50%" _id="625012"][kc_spacing height="30px" _id="474677"][kc_column_text _id="534064"]Dans sa publication, l’équipe de chercheurs explore la photoluminescence non-linéaire issue du déclin radiatif d’une population d’électrons hors équilibre généré par le pompage optique ultra-rapide d’une couche d’oxyde d'indium-étain (ITO) gravée par un faisceau focalisé d’ions Ga.
Cette découverte apporte une nouvelle dimension optique à un matériau complexe qui est communément utilisé pour réaliser des électrodes transparentes.
[/kc_column_text][kc_spacing height="10px" _id="286054"][kc_column_text _id="105973"]- Pour plus d’informations : Florian Dell’Ova, Konstantin Malchow, Rémi Chassagnon, Olivier Heintz, Nicolas Pocholle, Gérard Colas des Francs, Erik Dujardin, and Alexandre Bouhelier, Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling, ACS Applied Optical Materials (2023)