Une équipe du laboratoire ICB en couverture de la revue scientifique « Applied Optical Materials »
L’article « Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling » menée par le département Photonique et la plateforme ARCEN CARNOT du laboratoire ICB fait la couverture inaugurale du premier numéro d’ACS Applied Optical Materials.
Dans sa publication, l’équipe de chercheurs explore la photoluminescence non-linéaire issue du déclin radiatif d’une population d’électrons hors équilibre généré par le pompage optique ultra-rapide d’une couche d’oxyde d'indium-étain (ITO) gravée par un faisceau focalisé d’ions Ga.
Cette découverte apporte une nouvelle dimension optique à un matériau complexe qui est communément utilisé pour réaliser des électrodes transparentes.
- Pour plus d’informations : Florian Dell’Ova, Konstantin Malchow, Rémi Chassagnon, Olivier Heintz, Nicolas Pocholle, Gérard Colas des Francs, Erik Dujardin, and Alexandre Bouhelier, Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling, ACS Applied Optical Materials (2023)
- kc_data:
- a:8:{i:0;s:0:"";s:4:"mode";s:2:"kc";s:3:"css";s:0:"";s:9:"max_width";s:0:"";s:7:"classes";s:0:"";s:9:"thumbnail";s:0:"";s:9:"collapsed";s:0:"";s:9:"optimized";s:0:"";}
- kc_raw_content:
- [kc_row use_container="yes" _id="172938"][kc_column width="12/12" video_mute="no" _id="525111"][kc_spacing height="20" _id="888479"][kc_column_text _id="717941"]
L’article « Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling » menée par le département Photonique et la plateforme ARCEN CARNOT du laboratoire ICB fait la couverture inaugurale du premier numéro d’ACS Applied Optical Materials.
[/kc_column_text][kc_spacing height="10px" _id="649257"][/kc_column][/kc_row][kc_row use_container="yes" _id="782133"][kc_column width="45%" _id="561492"][kc_single_image image_size="full" _id="395374" image_source="media_library" image="40898"][/kc_column][kc_column width="5%" _id="928846"][/kc_column][kc_column width="50%" _id="625012"][kc_spacing height="30px" _id="474677"][kc_column_text _id="534064"]Dans sa publication, l’équipe de chercheurs explore la photoluminescence non-linéaire issue du déclin radiatif d’une population d’électrons hors équilibre généré par le pompage optique ultra-rapide d’une couche d’oxyde d'indium-étain (ITO) gravée par un faisceau focalisé d’ions Ga.
Cette découverte apporte une nouvelle dimension optique à un matériau complexe qui est communément utilisé pour réaliser des électrodes transparentes.
[/kc_column_text][kc_spacing height="10px" _id="286054"][kc_column_text _id="105973"]- Pour plus d’informations : Florian Dell’Ova, Konstantin Malchow, Rémi Chassagnon, Olivier Heintz, Nicolas Pocholle, Gérard Colas des Francs, Erik Dujardin, and Alexandre Bouhelier, Hot Carrier-Induced Nonlinear Photoluminescence in a Thin Indium Tin Oxide Layer Patterned by Ga Ion Beam Milling, ACS Applied Optical Materials (2023)